永不服输的故事，总是让人热血沸腾，敬中国女排
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带隙是二维半导体电子器件和光电子光器件中最重要的基本参数之一，女排是影响二维半导体电子器件开关比和光电器件的光电流响应的重要因素之一。在此基础上，服输沸腾构建了锗硅烷的理论模型，服输沸腾基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明，二维锗硅烷和体相材料均为直接带隙半导体，与过渡金属硫族化合物不同，其带隙类型既不依赖锗硅烷的片层数，也与锗硅烷中Ge和Si元素的比例无关，其带隙结构随x的升高而增加。二维锗硅烷兼具可调控能带结构、总中国宽光谱（从紫外区到可见光区）响应，总中国同时其能带结构适应于不同复杂条件下的光催化产氢和CO2还原，研究显示，当x=0.5时，二维锗硅烷（HGeSiOH）表现出最优异的光催化性能，在光催化水还原中可以以1.58mmolg-1h-1的速率生成H2，还可以催化还原CO2，以6.91mmolg-1h-1的速率生成CO，该性能高于目前报道的光催化剂，这些研究结果表明具有带隙可调性能的二维锗硅烷在光催化产氢和CO2还原上具有巨大的应用潜力。
当x≥0.5时，让人热血材料中又出现了Si-H化学键，因此锗硅烷的结构为(GeH)1-xSix(OH)0.5Hx-0.5。同时二维锗硅烷的化学结构与Ge和Si比例密切相关，女排当x0.5时，材料中分别形成Ge-H和Si-OH化学键，锗硅烷表现为(GeH)1-x(SiOH)x。
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